一、半导体激光器及其优点
其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器，一般是由砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器，一般用N型或P型半导体单晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物质，以其他激光器发出的激光作光泵激励。高能电子束激励式半导体激光器，一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。在半导体激光器件中，性能较好，应用较广的是具有双异质结构的电注入式GaAs二极管激光器。
半导体激光器的优点包括：
1、小型化
半导体激光器具有体积小、重量轻的优点，能够轻松集成到各种设备中，便于实现系统小型化设计，适用于复杂场景下的实时控制和检测。
2、高效率
相比其他激光器类型，半导体激光器的电光转换效率高，功率稳定性好。同时，其启动时间短，响应速度快，能够快速实现高能量密度光束发射，有助于提高设备性能和加速数据传输速度。
3、可靠性高
半导体激光器结构简单，寿命长，维护成本低。其中，单片半导体激光器件的寿命可以达到数万小时以上，相比其他激光器类型，有更高的可靠性和稳定性，且不需要频繁更换、维修，大大降低了设备运维成本。
